半导体物理学

内容简介

李名復著的《半导体物理学（典藏版）》介代半导体物理学中比较活跃的几个领域的基本的发展。全书共五章：章论述完整晶体的能带理论，其括LCAO方法，赝势方法，k·p方法和自旋轨道耦合；章论述半导体中的缺陷态，介绍深能级的理论和实验；第三章介绍半导体的光学质括光吸收、激子、发光和拉曼散射；第四章论述半导体表面，讨论清洁的外表面；第五章简单介绍异质结、量子阱、超晶格及Hall效应。每章末尾均附有参考文献，书末还附有读者的基础知识和常用数据等三个附录。 本书是一部大专院校半导体物理专业研究生和高年级学生的教科书，同时也是凝聚态物理及其他有关领域的科研人员及研究生的参考书。

目录

序言章 完整晶体的能带理论§1．1 预备知识§1．2 正交面波（OPW）和赝势（pseudopotential）方法§1．3 赝势方一步讨论1．3．1 密度泛函理论1．3．2 自洽赝势计算和规范保持（norm-conserving）赝势1．3．3 交换和关联作用局域密似（LDA）和准粒子1．3．4 晶体系能量和结构参数§1．4 紧束似或原子轨道线组似（LCAO）§1．5 k·p方法及有效质量§1．6 自旋轨道耦合和由此引起的简并态的分裂参考文献章 半导体中的缺陷态§2．1 引言§2．2 对具有点缺陷的非理想晶体中的电子态的一般讨论§2．3 浅能级的有效质似（EMT）§2．4 深能级的集团模型（cluster）方法、Koster-Slater格林函数方法和负U中心§2．5 载流子通过深能级间接复合动力学§2．6 利用瞬态方法研究缺陷能级2．6．1 半导体结势垒区（空间电荷区）的瞬变分析2．6．2 等温条件下的瞬态分析2．6．3 深能级瞬态谱（DLTS）方法§2．7 磁共振方法研究深能级（EPR，ENDOR和ODMR）2．7．1 缺陷电子与磁场的相互作用2．7．2 超精细作用2．7．3 电子顺磁共振实验2．7．4 g张量2．7．5 双共振（ENDOR）2．7．6 光测磁共振（ODMR）§2．8 深能级对载流子的复合机构——多声子无辐射复合参考文献第三章 半导体的光学质§3．1 固体宏观光学响应函数3．1．1 光的传播3．1．2 光的反射3．1．3 光的透射3．1．4 Kramers-Kronig色散关系§3．2 吸收边的本征吸收3．2．1 直接跃迁吸收边3．2．2 非直接跃迁吸收边§3．3 激子（excitons）和激子效应3．3．1 激子3．3．2 激子效应对直接跃迁吸收边谱的影响3．3．3 激子效应对非直接跃迁吸收边谱的影响S 3．4 高能量跃迁3．4．1 联合态密度和临界点3．4．2 反射谱3．4．3 调制反射谱§3．5 缺陷态对应的光电离谱§3．6 自由载流子吸收3．6．1 带内跃迁3．6．2 带间跃迁§3．7 晶格吸收§3．8 光发射3．8．1 光场态密度及有关定义3．8．2 受激吸收和发射，自发发射3．8．3 各种发光过程（弱的自发辐射）3．8．4 光吸收和光发射之间的关系，推广的Van Rooroeck Shockley关系，光放大（强的发射）§3．9 光的非弹散射——拉曼散射3．9．1 有关名词和经典图象3．9．2 拉曼散射的量子力学图象3．9．3 共振拉曼散射3．9．4 受激拉曼散射3．9．5 极化激元参考文献第四章 半导体表面§4．1 引言§4．2 表面晶格结构4．2．1 二维周期4．2．2 表面重构§4．3 表面电子态4．3．1 一般讨论4．3．2 自洽赝势方法4．3．3 LCAO方法4．3．4 格林函数方法§4．4 对表面重构一步讨论4．4．1 Si{100}2×1表面4．4．2 Si{111}2×1表面4．4．3 Si{111}7×7表面§4．5 表面的实验研究方法4．5．1 综述4．5．2 光电子谱（PS）4．5．3 低能电子衍射（LEED）参考文献第五章 异质结，量子阱，超晶格和量子Hall效应§5．1 异质结的能带失调§5．2 量子阱5．2．1 量子阱中的束缚量子态5．2．2 量子阱中的能态密度5．2．3 量子阱中光跃迁对应的光吸收和发射§5．3 超晶格5．3．1 一般概念5．3．2 利用LCAO方法、有效质量方法和赝势方法对超晶格能带结构一步讨论§5．4 量子Hall效应参考文献附录A 群论知识备忘录附录B 光和电子相互作用的量子理论附录C 半导体物理研究中常用数据和图表附录的参考文献后记