内容简介
本书以Y2O3：Eu3+和La2O3：Eu3+纳米发光材料作为研究范例，基于理论分析与实验，深入探讨CT激发下Eu3+掺杂纳米发光材料发光中心的猝灭机理；基于发光中心猝灭机理的探讨，实现了Eu3+掺杂纳米材料发光效率的改善。本书研究了Eu3+掺杂纳米发光材料CT激发光谱的红移机理，探讨了CT能随材料纳米尺而变化的两种因素，揭示了CT激发光谱红移与发光效率下降这两种微观机制之间的内在联系。此外，深入探讨了低压阴极射线发光的饱和行为机理，以及荧光材料的高阻与荧光亮度饱和特的密切关联。凭借合适的导电成分在典型荧光材料中构建导电网络，实现了荧光材料导电的改善。 本书内容实，可作为从事稀土发光材料以及场发射显示能研究的广大科研工作者的参考用书。
目录
第l章 绪论 1.1 稀土发光材料概述 1.2 稀土元素基本知识 1.2.1 稀土元素原子的电子层结构 1.2.2 稀土元素离子的价态特点 1.2.3 稀土元素离子的能级与跃迁 1.3 晶体势场对稀土离子发光的重要作用 1.4 稀土发光材料的激发方式 1.5 Eu”掺杂发光材料的电荷迁移激发 1.5.1 电荷迁移激发的一般原理 1.5.2 Eu"掺杂发光材料的电荷迁移激发 1.6 Eu针掺杂发光材料的光发射特 1.7 稀土发光材料的纳米效应 1.7.1 发光效率的变化 1.7.2 光谱的红移或蓝移 1.7.3 荧光寿命和猝灭浓度的变化 1.8 稀土发光材料的应第2章 Re203：Eu3+(Re=Y，La)纳米材料的制备与表征方法 2.1 表征方法 2.1.1 X射线衍射分析 2.1.2 场发射扫描电子显微镜分析 2.1.3 荧光光谱分析 2.2 Re203：Eu(Re=Y，La)纳米粉体的低温燃烧法合成 2.2.1 Y203：Eu针纳米粉体的合成实验 2.2.2 La203：Eu”纳米粉体的合成实验 2.3 La203：Eu抖纳米粉体的Si0覆 2.3.1 覆实验的逐步 2.3.2 覆效果的接触角测试 2.4 本章小结第3章 阴极射线发光适用Y203：Eu3+荧光材料的制备与形貌 3.1 Y，203：Eu。荧光材料Pechini型的溶胶一凝胶方法制 3.2 Y203：Eu。荧光材料的烧结过程分析 3.3 微米级Y203：Eu3+粉体的形貌 3.4 本章小结第4章 荧光材料样品的导电 4.1 实验材料样品的制备 4.2 相关实验第5章 电荷迁移激发下Eu3+掺杂纳米发光材料发光中心的猝灭机理 5.1 Eu计掺杂纳米发光材料发光中心的零声子电荷迁移能 5.1.1 品格结构随纳米尺的下降而变化 5.1.2 禁带宽度及零声子电荷迁移能下降 5.2 Eu计掺杂纳米发光材料发光中心CTS坐标偏差 5.2.1 导致cTs坐标偏差增加的结构因素 5.2.2 导致CTS坐标偏差增加的尺因素 5.3 EuH掺杂纳米材料发光中心CTs偏移的光谱例证 5.3.1 发光中心电荷迁移态CTS向Eu的5D态的跃迁 5.3.2 利用光谱实验证明发光中心CTs偏移的可行 5.3.3 证明Eu。掺杂纳米材料发光中心cTs偏移的光谱实验 5.4 CT激发下Eu计掺杂纳米发光材料发光效率的下降 5.4.1 电荷迁移态cTs的移动对发光中心非辐射弛豫概率的影响 5.4.2 零声子电荷迁移能及位形坐标偏差影响发光效率的文献佐证 5.5 相应参数以及参数变化的实验测定 5.5.1 发光效率的外表面效应 5.5.2 结合实验数据的参数计算 5.6 提高Eu”掺杂纳米发光材料发光效率的可行方法 5.7 本章小结第6章 电荷迁移激发下La203：Eu3+纳米材料发光效率的改善 6.1 La203：Eu发光材料及其电荷迁移激发 6.2 La203：Eu3+纳米材料发光效率的下降 6.3 La203：Eu抖纳米材料发光效率的改善 6.3.1 表覆方法的采用 6.3.2 La203：Eu抖纳米材料表覆的实验表征 6.4 Si0覆的La203：Eu3+纳米材料发光效率光谱实验检测 6.4.1 光谱实验中发光效率的可比 6.4.2 光谱强度比较实验 6.5 不同样品材料相关参数的实验测定 6.6 Eu计掺杂纳米发光材料发光效率表面效应的定量衡量 6.6.1 依照光效的变化对Eu针掺杂纳米发光材料的区域划分 6.6.2 等效猝灭层厚度的测算 6.6.3 等效猝灭层厚度在表覆后的下降 6.7 本章小结第7章 Y203：Eu3+纳米发光材料电荷迁移激发光谱的红移机理研究 7.1 一维周期势场的晶格形变势 7.1.1 K10nig—Penney模型 7.1.2 晶体的相对体积形变导致禁带宽度及的变化 7.2 禁带宽度收缩及零声子电荷迁移能的变化 7.3 CT激发对发光中心跃迁的影响 7.4 Y203：Eu3+纳米材料发光中心电荷迁移能的变化 7.5 两种重要表面效应的微观机制 7.6 本章小结第8章 低压阴极射线发光中荧光材料的应(未计入电子束穿透深度) 8.1 激率的饱和行为 8.2 e-h对产生率的饱和行为 8.3 e-h对产生区域宽度及e咄对浓度产生率的变化 8.4 e-h对激发发光中心概率下降的变化 8.5 激发态发光中心辐射跃迁概率的变化 8.6 低压阴极射线发光中荧光材料的应 8.7 本章小结第9章 低压阴极射线发光中荧光材料的应(计入电子束穿透深度) 9.1 低压阴极射线发光中荧光层内的相关物理机制 9.2 荧光材料导电对电子均穿透深度及激率的影响 9.3 荧光材料导电对低压阴极射线发光能的影响 9.4 本章小结第10章 改善荧光材料导电低压阴极射线发光的饱和行为 10.1 在荧光材料内引入导电成分对低压阴极射线发光的影响 10.2 在荧光材料内引入传统导电成分的初步尝试 10.3 本章小结第11章 以氧化铟/铜纳米线合作导电成分改善荧光材料导电-陛 11.1 以合作导电成分改善荧光材料导电 11.2 以合作导电成分改善低压阴极射线的发光饱和行为 11.3 本章小结第12章 在荧光材料中引入碳纳米管低压阴极射线发光的饱和行为 12.1 引入碳纳米管的荧光材料的能 12.2 引入碳纳米管的荧光材料内的场增应 12.3 场增应在低压阴极射线发光中的关键作用 12.4 在荧光材料内引入碳纳米管的其他优势 12.5 本章小结第13章 以碳纳米管/石墨烯合作导电成分改善荧光材料导电 13.1 T及GPN作为导电成分的能 13.2 降低电渗阈值的途径 13.3 引入导电成分以荧光材料的低压阴极射线发光能 13.4 本章小结参考文献名词索引