内容简介
全书内容共分六章。前三章着重讲解界面研究的基础，即界面热力学、界面结构和界面电子状态；第四和第五章介绍界面的一些基本过程，如吸附与偏析、界面形核与长大；第六章介绍界面的工程应用。
目录
第1章 界面热力学 1.1 界面能与体系热力学参数的关系 1.2 界面区的物质特 1.3 界面曲率半径对两衡体系物理参量的影响 1.4 合金衡条件及显微组织 l.4.1 单相合金的界面及其组织 1.4.2 复相合金的界面及其组织 1.4.3 三相界面交界处的界面张衡 1.5 界面能各向异对晶体形貌和显微组织的影响 1.5.1 γ能级图和wulff结构 1.5.2 界面的刻面化和界面的转动 1.5.3 基体中相衡形貌 1.5.4 Wulff法则 1.5.5 温度衡形状wulff结构的影响 1.6 小尺度材料表面诱发的尺效应 1.6.1 镜像力 1.6.2 材料力学行为对外在尺的依赖思考题本章参考文献本章附录I 蒸汽相饱和蒸汽压与界面曲率半径的关系本章附录Ⅱ 溶质饱和浓度与界面曲率半径的关系第2章 界面结构 2.1 晶界研究的历史回顾 2.2 任意晶界的宏观几何自由度 2.3 小角晶界的位错模型 2.3.1 Bilby-Frank公式 2.3.2 描述小角晶界位错分布的方程及其应用 2.3.3 小角晶界能 2.4 大角晶界结构 2.4.1 晶体学几何模型 2.4.2 大角晶界结构的描述 2.4.3 大角晶界能 2.5 孪晶界面 2.5.1 孪生的晶体学 2.5.2 孪生时的原子移动 2.6 堆垛层错 2.7 反相畴界 2.8 相界面 2.8.1 相界面的结合模型 2.8.2 界面位错观察思考题本章参考文献本章附录立方晶系一些不同□值的CSL转换矩阵第3章 界面的电子状态 3.1 表面电子态 3.1.1 表面电子态的产生及其特征 3.1.2 表面电子态的经典模型及理论计算 3.1.3 表面电子态的种类 3.1.4 局域态密度 3.1.5 清洁表面的电子结构 3.1.6 表面空间电荷层的形成及表面能带的弯曲 3.2 金属-半导体界面态 3.2.1 导体、绝缘体和半导体能带结构的区别 3.2.2 肖特基势垒 3.2.3 Bardeen模型 3.2.4 金属诱生能隙态 3.2.5 金属覆盖率对肖特基势垒的影响 3.2.6 外加电压对肖特基势垒的影响 3.2.7 金属-半导体接触的电流输运机制 3.2.8 金属-半导体接触的电学特表征与测量 3.2.9 Si的肖特基势垒 3.2.10 金属-半导体界面的原子结构思考题本章参考文献第4章 界面吸附和偏析 4.1 气固吸附和界面偏析 4.1.1 气固吸附 4.1.2 界面偏析 4.2 宏观唯象理论 4.3 吸附的电子态理论 4.3.1 Lennard-Jones模型 4.3.2 吸附物诱导函数变化 4.3.3 吸附力能学 4.3.4 吸附动力学 4.4 吸附的统计理论 4.5 常用气体在金属表面上的吸附 4.5.1 氢的吸附 4.5.2 氮的吸附 4.5.3 氧的吸附 4.5.4 一氧化碳的吸附 4.5.5 二氧化碳的吸附 4.5.6 碳氢化合物的吸附思考题本章参考文献第5章 界面形核与长大 5.1 相变驱动力与形核驱动力 5.1.1 相变驱动力 5.1.2 形核驱动力 5.2 界面的扩散形核 5.2.1 均匀形核 5.2.2 非均匀形核 5.3 新相长大 5.3.1 界面过程控制的新相长大 5.3.2 长程扩散控制的新相长大 5.3.3 析出相的聚集(粗化)思考题本章参考文献第6章 界面的工程应用 6.1 晶界工程 6.1.1 特殊晶界 6.1.2 晶界工程的定义 6.1.3 晶界工程的分类 6.1.4 实现基于退火孪晶晶界工程的途径 6.1.5 基于退火孪晶的晶界工程优化机制模型 6.1.6 基于退火孪晶的晶界工程应用实例 6.2 相界面 6.2.1 相界面分类 6.2.2 相界面工程应用实例 6.3 金属基复合材料界面 6.3.1 金属基复合材料界面类型 6.3.2 金属基复合材料界面结合形式 6.3.3 金属基复合材料界面反应 6.3.4 金属基复合材料界面工程应用实例思考题本章参考文献